立志成为全国性的第三代半导体创新 、应用示范
发布时间:2018-04-12 21:36

  泰科天润半导体科技(北京)有限公司是中国第一家致力于第三代半导体—碳化硅(SiC)功率器件的集设计、研发、生产于一体的高科技企业。公司总部坐落于中国北京中关村东升科技园,拥有一座完整的碳化硅器件生产厂房,可在4至6英寸碳化硅晶圆上加工制造半导体功率器件。公司致力于SiC功率器件的自主研发、生产、销售和应用解决方案,为客户提供高端半导体功率器件和应用模块,并提供应用技术支持。

  单位负责人陈彤博士, 1995.09- 1999.07福州大学法律学院,法学学士。1999.07- 2001.10月厦门泰成集团任营销经理。2001.10-2002.09 英国雷丁大学经济系获经济学硕士。2002.10-2008.12 英国雷丁大学政治与国际关系和战略专业博士学位。2009.01-2012.10厦门泰成集团任泰成恒基地产公司总经理。2012.10-至今任泰科天润半导体科技(北京)有限公司总经理。2015年6月10日被科技部列为第三代半导体材料专家组成员。

  碳化硅作为第三代半导体材料,被公认是下一代的功率半导体材料而受到各国的重视。碳化硅双极结型三极管,与硅IGBT相比,可实现更高的功率效率(98%以上),更低的功率损耗(节省30-50%),更小的尺寸(节省30-50%),并可在200℃下稳定工作。本课题通过碳化硅双极结型三极管的研制和在开关电源中的应用,完善了碳化硅技术的上下游产业链。通过坚持技术创新和产品创新,泰科天润将打造国内第三代半导体研究、应用的技术平台,立志成为全国性的第三代半导体创新、应用示范和推广基地,推动国内第三代半导体技术的发展,和北京市第三代半导体创新基地的建设。

  国际上主要的功率器件厂商都在开展碳化硅器件的研发或生产,具有十几年的技术积累,不仅垄断了技术也垄断了市场。泰科天润的技术团队,通过独立研发、技术创新,实现国内首个碳化硅功率器件的产业化,并研制成功国内首个高功率碳化硅双极结型三极管样品,规格为1200V10A,电流增益最高达到85。课题研制过程中,通过技术攻关,突破了碳化硅p型欧姆接触工艺、碳化硅高选择比刻蚀技术、激活退火技术和表面钝化技术等关键技术,掌握了碳化硅双极结型三极管的设计和工艺制造技术,并形成了自主知识产权。成为国际上少数几个能提供碳化硅双极结型三极管样品的单位之一。

  碳化硅功率器件可以应用于PFC电路、各类UPS、开关电源、工业马达、电动汽车和混合电动汽车、太阳能发电和风能发电、轨道交通、船舶、智能电网等各类民用领域。还可以用于舰船、航空航天系统电源、雷达地面电源等军用领域。通过和椿树整流器公司的合作,完成了应用碳化硅双极结型三极管功率模块的50KW开关电源样机的研制,样机的开关频率达到50kHz,满载功率因数0.98,满载效率95.37%,而且具备更好的热稳定性及可靠性。

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