当PWM1为高时
发布时间:2018-02-04 09:36

  在单片机电路用常常需要用三极管来做开关管来使用以便驱动一些外设,这里给大家介绍一种方法.

  当Q1处于临界饱和时,流经R1的电流为 Ic=VCC/R1,若Q1的直流增益为β(β有直流增益和交流增益之分,不同的管子差很大),则流经R2的电流为 Ib=Ic/β=(Vin-Vbe)/R2,Vbe为基极与射极间的管压降,对硅管来说约为0.6V,对锗管来说,约为0.3V,此时的Vin=Ib*R2+Vbe。

  若要令Q1处于深度饱和状态(即开关闭合状态),Vin应大于临界饱和值,即Vin>

  Ib*R2+Vbe,Vin=Vbe+(Vcc*R2)/(β*R1)。

  此外,三极管还可实现反相器的功能。当PWM1为高时,Q1导通,PWM2为低;当PWM1为低时,Q1截止,PWM2为高。

  当驱动H桥时,只需产生一路PWM信号,再令三极管实现反相,便可得到两路占空比互补的信号。

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